一种薄膜生长过程原位动态特性监测实验仪器
基本信息
| 申请号 | CN03200903.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN2641647Y | 公开（公告）日 | 2004-09-15 |
| 申请公布号 | CN2641647Y | 申请公布日 | 2004-09-15 |
| 分类号 | G01N27/04;C23C14/38;C23C14/52 | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 黄筱玲;田跃;邱宏;李杰;王凤平;吴平;潘礼庆;罗胜;刘亚琪;李祥林;党彦军 | 申请（专利权）人 | 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司 |
| 代理机构 | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人 | 刘月娥 |
| 地址 | 100083北京市海淀区学院路30号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种薄膜生长过程原位动态特性监测实验装置。由真空控制部分、直流溅射镀膜部分和测量部分组成。其真空控制部分由机械泵、真空测量规和真空度显示仪表组成；直流溅射镀膜部分由镀膜用的靶材、安放衬底的衬底架和直流溅射电源组成。镀膜用的靶材和安放衬底的衬底架放置在直流溅射镀膜室中；测量部分由用于同衬底的电流输入电极相连接的电流输入接头、用于同衬底的电压输出电极相连接的电压输出接头、恒流源、电流表和电压表组成。衬底上将预先制备有电流输入电极和电压输出电极，二者的相对位置是：电流输入电极在外侧，电压输出电极在内侧。优点是：清楚地反映薄膜生长过程的动态特性，价格低廉、操作简单。 |
