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一种磁敏电阻金属薄膜

基本信息

申请号	CN02100349.1	申请日	-
公开（公告）号	CN1433093A	公开（公告）日	2003-07-30
申请公布号	CN1433093A	申请公布日	2003-07-30
分类号	H01L43/08;H01L43/02	分类	基本电气元件;
发明人	王凤平;潘礼庆;吴平;田跃;邱宏	申请（专利权）人	北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司
代理机构	北京科大华谊专利代理事务所	代理人	刘月娥
地址	100083北京市海淀区学院路30号
法律状态	-

摘要

本发明提供了一种磁敏电阻金属薄膜。其特征在于：由基片(1)及在基片上生成的磁性金属合金薄膜(2)组成，其磁性金属合金薄膜(2)的厚度为10纳米至1000纳米，含有5－30at％原子百分比氧，具有垂直于基片表面的柱状结晶晶粒，结晶晶粒在平行于基片表面方向上的宽度为10－1000纳米。基片(1)可以是塑料、聚四合物高分子材料，也可以是玻璃、二氧化硅等非晶态材料，也可以是微晶玻璃，也可以是氧化镁、氧化铝、氧化锌、钛酸钡、钛酸铅、锆酸铅、钛酸锆酸铅、钛酸锆酸镧酸铅金属氧化物材料，还可以是硅、砷化镓等半导体材料；磁性金属合金薄膜(2)可以是镍铁合金、镍钴合金、铁钴合金或铁钴镍构成的三元合金。本发明的优点是磁敏电阻金属薄膜材料具有高于4％的各向异性磁电阻变化率，并且具有高的磁场灵敏度。