一种使用磁隧道结磁敏电阻芯片的磁编码器

基本信息

申请号 CN01134692.2 申请日 -
公开(公告)号 CN1245608C 公开(公告)日 2006-03-15
申请公布号 CN1245608C 申请公布日 2006-03-15
分类号 G01D5/249(2006.01) 分类 测量;测试;
发明人 潘礼庆;田跃;邱宏;王凤平;吴平;黄筱玲;鲁武军;周怀安 申请(专利权)人 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司
代理机构 北京科大华谊专利代理事务所 代理人 刘月娥
地址 100083北京市海淀区学院路30号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种使用磁隧道结磁敏电阻芯片的磁编码器。其特征在于:磁编码器由敏感元件磁隧道结磁敏电阻芯片(15)和被充磁的磁鼓(16)构成,磁隧道结磁敏电阻芯片(15)中的磁敏电阻感应部分(10)与磁鼓(16)之间的距离为10微米-1毫米;磁隧道结磁敏电阻芯片(15)由基片(1)、在基片(1)上生成的能够产生偏置磁场的部分(5)以及在能够产生偏置磁场的部分(5)上生成的磁敏电阻感应部分(10)组成;本发明的优点是提高磁编码器的灵敏度、温度稳定性,减少其信号处理电路。