一种微电极阵列的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201611206553.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106646048A | 公开（公告）日 | 2019-11-12 |
| 申请公布号 | CN106646048A | 申请公布日 | 2019-11-12 |
| 分类号 | G01R31/00 | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 吴天准;李腾跃;孙滨 | 申请（专利权）人 | 深圳市勃望初芯半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭晓宇 |
| 地址 | 518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种微电极阵列的制备方法，包括：制备基底；在基底上制备第一柔性绝缘衬底，并通过干法刻蚀的方法对第一柔性绝缘衬底进行图形化；在第一柔性绝缘衬底上制备金属电连接结构；在金属电连接结构上制备一介电层，并通过干法刻蚀的方法将介电层图形化，使得介电层包裹住第一柔性绝缘衬底；在介电层上制备第二柔性绝缘衬底，并在第二柔性绝缘衬底上制备微电极阵列的金属结构；在微电极阵列的金属结构上制备第三层柔性绝缘衬底，并通过干法刻蚀的方法制备出微电极阵列的轮廓，释放出金属刺激电极点及焊接点，其中焊接点的通孔位置被刻穿，暴露出底层与其对应的金属电连接结构；将微电极阵列的焊接点与金属电连接结构焊接到一起；去除基底。 |
