半导体器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201811085662.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109192724A | 公开（公告）日 | 2019-01-11 |
| 申请公布号 | CN109192724A | 申请公布日 | 2019-01-11 |
| 分类号 | H01L27/02;H01L29/861;H01L21/329 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 南京智悟智能科技有限责任公司 |
| 代理机构 | 深圳市兰锋知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 深圳市心版图科技有限公司;南京溧水高新创业投资管理有限公司 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市罗湖区桂园街道宝安南路都市名园B栋第五层B区B14 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，包括：第一导电类型的衬底；形成于所述衬底的上表面的第一导电类型的第一外延层；形成于所述第一外延层的部分上表面的第一导电类型的第二外延层；形成于所述第二外延层的上表面的第二导电类型的第三外延层；形成于所述第三外延层的上表面的第一导电类型的第四外延层；第一介质层；第二导电类型的第一掺杂区；形成于所述第一掺杂区的上表面的第一导电类型的第五外延层；第二介质层；与所述第四外延层及所述第五外延层电连接的正面金属层；与所述衬底电连接的背面金属层。所述半导体器件具有双向、低电容及缺陷少的特点。 |
