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半导体器件及其制造方法

基本信息

申请号 CN201811085662.8 申请日 -
公开（公告）号 CN109192724B 公开（公告）日 2019-01-11
申请公布号 CN109192724B 申请公布日 2019-01-11
分类号 H01L27/02(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 不公告发明人 申请（专利权）人 南京智悟智能科技有限责任公司
代理机构 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 代理人 南京溧水高新创业投资管理有限公司
地址 210000江苏省南京市溧水经济开发区柘塘街道福田路科创大厦
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，包括：第一导电类型的衬底；形成于所述衬底的上表面的第一导电类型的第一外延层；形成于所述第一外延层的部分上表面的第一导电类型的第二外延层；形成于所述第二外延层的上表面的第二导电类型的第三外延层；形成于所述第三外延层的上表面的第一导电类型的第四外延层；第一介质层；第二导电类型的第一掺杂区；形成于所述第一掺杂区的上表面的第一导电类型的第五外延层；第二介质层；与所述第四外延层及所述第五外延层电连接的正面金属层；与所述衬底电连接的背面金属层。所述半导体器件具有双向、低电容及缺陷少的特点。