一种过温保护电路
基本信息
申请号 | CN201820716676.4 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN208226553U | 公开(公告)日 | 2018-12-11 |
申请公布号 | CN208226553U | 申请公布日 | 2018-12-11 |
分类号 | H02H5/04 | 分类 | 发电、变电或配电; |
发明人 | 刘志明 | 申请(专利权)人 | 合肥市汤诚集成电路设计有限公司 |
代理机构 | - | 代理人 | - |
地址 | 230000 安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期H2栋516室 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本实用新型公开了一种过温保护电路,包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一电流源、第二电流源和第一三极管;本实用新型提供了一种过温保护电路,实现了当芯片温度超过设定温度时,控制芯片进入过温保护状态,同时,第三PMOS管、第四PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第五NMOS管实现迟滞功能,避免电路在过温温度点附近发生热振荡。 |
