一种基于BCD高压工艺F类音频功率放大器
基本信息
申请号 | CN201810668060.9 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN108964622A | 公开(公告)日 | 2018-12-07 |
申请公布号 | CN108964622A | 申请公布日 | 2018-12-07 |
分类号 | H03F3/183 | 分类 | 基本电子电路; |
发明人 | 刘志明 | 申请(专利权)人 | 合肥市汤诚集成电路设计有限公司 |
代理机构 | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 合肥市汤诚集成电路设计有限公司 |
地址 | 230000 安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期H2栋516室 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种基于BCD高压工艺F类音频功率放大器,包括信号输入端、非交叠信号控制模块、电平位移控制模块、功率管模块和AB类放大器控制模块,非交叠信号控制模块供电电压幅值为LV,电平位移控制模块供电电压幅值分别为LV、MV和HV,功率管模块供电电压幅值为HV,AB类放大器控制模块供电电压幅值为HV。由于功率BCD工艺耐压LV较低,所以要保证所有的场效应管VGS在LV以内。当工作在D类模式时,AB类放大器控制模块关闭;当工作在AB类模式时,非交叠信号控制模块和电平位移控制模块关闭。解决了目前市场上高压BCD工艺功放主要是纯D类音频功率放大器,使用范围较窄的问题。 |
