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射频识别标签芯片的存储器读取电路

基本信息

申请号 CN201210389989.0 申请日 -
公开（公告）号 CN103700403B 公开（公告）日 2017-07-18
申请公布号 CN103700403B 申请公布日 2017-07-18
分类号 G11C16/10;G11C16/26 分类 信息存储;
发明人 孔维新;赵海波;王彬;于跃 申请（专利权）人 江苏稻源科技集团有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 211400 江苏省仪征市经济开发区闽泰大道9号A座4楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种射频识别标签芯片的存储器读取电路，属于集成电路(IC)设计技术领域。读取电路包括：高压隔离MOS晶体管，并且还包括：用于控制所述高压隔离MOS晶体管的导通状态的栅极控制电路模块、和电容自举电路模块，电容自举电路模块用于抬升所述栅极控制电路模块的输出电压，以使高压隔离MOS晶体管在读操作时导通、并且使所述高压隔离MOS晶体管传输至所述存储器的电压大于或等于偏置在该读取电路上的所述读电压。该存储器读取电路在诸如RFID标签芯片的正常电源电压的低电压条件下实现读操作，读操作准确、灵敏，并且电路结构简单、读操作功耗小。