一种提高沟槽MOS结构肖特基二极管性能的工艺方法
基本信息
| 申请号 | CN202110366686.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113517193B | 公开（公告）日 | 2022-03-11 |
| 申请公布号 | CN113517193B | 申请公布日 | 2022-03-11 |
| 分类号 | H01L21/329（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I;H01L29/872（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈晓伦;许柏松;韩笑;孟军;朱涛 | 申请（专利权）人 | 江苏新顺微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海申浩律师事务所 | 代理人 | 龚敏 |
| 地址 | 214431江苏省无锡市江阴市长山大道78号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体领域。一种提高沟槽MOS结构肖特基二极管性能的工艺方法，步骤一，取完成沟槽刻蚀的硅基片，湿法工艺去除硅基片正面硅表面二氧化硅层及其他介质层；步骤二，采用LPCVD工艺淀积生长一薄层掺氧多晶硅层；步骤三，采用LPCVD工艺淀积一薄层氮化硅层；步骤四，采用LPCVD工艺淀积一层无掺杂多晶硅层；步骤五，采用炉管热氧化工艺，对淀积的多晶硅层进行氧化，反应形成二氧化硅；步骤六，采用CVD工艺淀积原位掺杂的多晶硅，最终获得了器件所需的硅沟槽MOS结构。本发明提高了介质层的厚度均匀性，降低了介质层生长过程中产生的缺陷，降低了介质层内电荷密度，器件性能得到提升。 |
