双极晶体管集成高压启动电阻的器件结构及制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110308047.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113161351B | 公开（公告）日 | 2022-03-11 |
| 申请公布号 | CN113161351B | 申请公布日 | 2022-03-11 |
| 分类号 | H01L27/06（2006.01）I;H01L21/82（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 许柏松;陈晓伦;徐永斌;叶新民;沈晓东;朱瑞;赵飞;欧应辉;任艳炯 | 申请（专利权）人 | 江苏新顺微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海申浩律师事务所 | 代理人 | 赵建敏 |
| 地址 | 214431江苏省无锡市江阴市长山大道78号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了双极晶体管集成高压启动电阻的器件结构及制造方法。双极晶体管集成高压启动电阻的器件结构，包括衬底；衬底的上方设有高阻区；高阻区上开设有第一窗口，第一窗口内形成有第一填充层；第一窗口与第二窗口相邻设置，第二窗口内形成有第二填充层；高阻区的边缘以及第二填充层内开设有第三窗口，第三窗口内形成有第三填充层；还包括一覆盖在高阻区上方的氧化层，氧化层内埋设有多晶硅条从内至外螺旋状设置的多晶硅层；第一金属层与位于高阻区边缘的第三填充层以及多晶硅层短接；第二金属层与多晶硅层以及第二填充层短接；第三金属层与位于第二填充层内的第三填充层短接。通过集成高压上电启动电阻，提高器件的集成度，降低电路的成本。 |
