一种磷化铟衬底的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110481295.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113206007A | 公开（公告）日 | 2021-08-03 |
| 申请公布号 | CN113206007A | 申请公布日 | 2021-08-03 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘兴达;周锐;柯尊斌;吴怀东 | 申请（专利权）人 | 中锗科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京中律知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 李建芳 |
| 地址 | 211299江苏省南京市溧水开发区中兴东路9号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种磷化铟衬底的制备方法，依次包括切割、背面研磨、正面减薄、腐蚀、抛光、清洗和包装的步骤。本发明磷化铟衬底的制备方法，创造性地在开发出了研磨结合减薄的方法，来分别处理晶片的正面和背面，可在晶片进行CMP抛光前获得粗糙度Ra值在100‑150nm的主表面来料，极大地减少了抛光前衬底损伤层的厚度，大大地缩短了磷化铟衬底的CMP抛光时间；解决了当前磷化铟衬底制造过程中，因双面研磨工艺带来的衬底表面机械损伤率高、机械损伤层厚、表面粗糙度差、平整度一致性差等一系列问题；通过腐蚀液的改进，减少了环境污染，改善了工作环境，腐蚀液有效寿命的到了大大的提升，同时提高了腐蚀效率。 |
