一种1吋锗加工片的抛光方法
基本信息
| 申请号 | CN202110327310.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113146451A | 公开（公告）日 | 2021-07-23 |
| 申请公布号 | CN113146451A | 申请公布日 | 2021-07-23 |
| 分类号 | B24B29/02（2006.01）I;B24B49/00（2012.01）I;B24B41/06（2012.01）I;B24B57/02（2006.01）I | 分类 | 磨削；抛光; |
| 发明人 | 端平;曾琦;江云;刘兴达;胡丽平;柯尊斌;王卿伟 | 申请（专利权）人 | 中锗科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京中律知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 李建芳 |
| 地址 | 211299江苏省南京市溧水开发区中兴东路9号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种1吋锗加工片的抛光方法，所用抛光液中的氯含量5.5～6.0g/L，pH值为10.0～10.2；抛光为先粗抛、后精抛，粗抛时，陶瓷盘和大盘的转速均为38～42rpm，抛光液的喷洒量为1500‑2000ml/min；精抛时，陶瓷盘和大盘的转速均为38～42rpm，抛光液的喷洒量为800‑1200ml/min；粗抛和精抛时，转头对陶瓷盘施加的向下的压力均为1000‑1200N。本发明1吋锗加工片的抛光方法，提高了掉量速率，提高了抛光效率和抛光质量；减少了药液消耗，降低了抛光液成本；降低了跑片几率，提高了抛光的稳定性，提高了设备利用效率；提高了成品率，产品的平整度提高，均匀性好，晶片表面损伤小，抛光后杂质、颗粒粘污少，容易清洗。 |
