一种InP晶体生长设备
基本信息
| 申请号 | CN202120253843.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214327971U | 公开（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申请公布号 | CN214327971U | 申请公布日 | 2021-10-01 |
| 分类号 | C30B29/40（2006.01）I;C30B25/02（2006.01）I;C30B25/16（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 罗福敏;柯尊斌;王卿伟 | 申请（专利权）人 | 中锗科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京中律知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 李建芳 |
| 地址 | 211299江苏省南京市溧水开发区中兴东路9号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种InP晶体生长设备，包括炉体、法兰盖、真空泵和连接管；法兰盖活动连接在炉体顶部，法兰盖与炉体顶部之间设有两道以上的密封圈；法兰盖上设有气孔和观察管；连接管一端与气孔顶部对接连通、另一端设有球阀，真空泵通过管路与连接管的侧壁连通；观察管一端位于法兰盖外侧、另一端穿过法兰盖伸入炉体内；法兰盖内侧中央位置设有可拆卸的籽晶盘；炉体自底部起沿高度方向依次分割为第一温区、第二温区和第三温区；炉体侧壁包括从内到外依次相接的反应釜、保温层、加热层、隔热层和外壳。上述设备，方便观察反应釜内晶体生长情况，保温隔热效果好，密封好，降低了晶体的位错密度，提高了均匀性和良率。 |
