绝缘PI膜及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110118506.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112812559A | 公开（公告）日 | 2021-05-18 |
| 申请公布号 | CN112812559A | 申请公布日 | 2021-05-18 |
| 分类号 | C08L79/08;C08L25/12;C08L71/02;C08K3/36;C08K3/38;C08K7/14;C08K3/22;C08J5/18;C08G73/10 | 分类 | 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物; |
| 发明人 | 叶爱磊;戴玮洁;韩仲友;谈纪金;祁浩;周枫韵 | 申请（专利权）人 | 苏州泰仑电子材料有限公司 |
| 代理机构 | 北京远大卓悦知识产权代理有限公司 | 代理人 | 祁云珊 |
| 地址 | 215000 江苏省苏州市高新区五台山路5号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种绝缘PI膜，其特征在于，包括按重量份计的以下成分：均苯四甲酸二酐30～70份；联苯四甲酸二酐20～60份；PPD 20～50份；ODA20～60份；聚亚烷基二醇5～20份；苯乙烯‑丙烯腈共聚物5～20份；氧化铝3～10份；超细玻璃棉5～15份；混合纳米粒子3～15份；溶剂40～90份。本发明中，聚亚烷基二醇与苯乙烯‑丙烯腈共聚物复配使用，提高了PI膜的绝缘性能和强度；氧化铝、超细玻璃棉的添加进一步改善了绝缘性能和耐热性能；纳米二氧化硅和纳米氮化硅的复配使用时，在能显著提高PI膜的耐高温性能、强度、耐刮性能的前提下，不会导致绝缘性能的下降，使得PI膜的综合性能得以提高。 |
