一种超结IGBT器件结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201811251706.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109300978A | 公开（公告）日 | 2019-02-01 |
| 申请公布号 | CN109300978A | 申请公布日 | 2019-02-01 |
| 分类号 | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/739 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李菲;李欣;禹久赢;任留涛;刘铁川 | 申请（专利权）人 | 上海超致半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海智晟知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 上海超致半导体科技有限公司 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区蔡伦路1690号2号楼405室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种超结IGBT器件，包括：第一导电类型衬底；设置在所述第一导电型衬底上的第二导电类型外延层；设置在所述第二导电类型外延层内的第一导电类型柱形扩散区；第一导电类型阱区，所述第一导电类型阱区与所述第一导电类型柱形扩散区通过一浮空区隔离；设置在所述第一导电类型阱区内的第一导电类型重掺杂区；第二导电类型重掺杂区；以及栅极。 |
