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一种N层集成二极管半导体场效应晶体管器件结构

基本信息

申请号 CN201720464757.5 申请日 -
公开（公告）号 CN207183272U 公开（公告）日 2018-04-03
申请公布号 CN207183272U 申请公布日 2018-04-03
分类号 H01L27/105;H01L29/78;H01L29/861 分类 基本电气元件;
发明人 任留涛 申请（专利权）人 上海超致半导体科技有限公司
代理机构 上海宏京知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 上海超致半导体科技有限公司
地址 201203 上海市浦东新区自由贸易试验区蔡伦路1690号2号楼405室
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型的一种N层集成二极管半导体场效应晶体管器件结构，器件结构包括基地金属层、N型衬底层、N型外延层、P层、外接金属连接层。P层上设有栅极、源极、漏极。N型衬底层上设有二极管。二极管周边设有与N型衬底层、基地金属层相绝缘的绝缘体层。基地金属层上设有穿孔，二极管的一端从穿孔中穿出与漏极相连接，二极管的另一端直接与基地金属层相连接，通过基地金属层与源极相连接。在N型衬底层上加装一个二极管并直接将二极管与源极、漏极相连接。从而解决了现有技术中因增加二极管反并联连接而带来的安装成本的问题。