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改良型低功率超结金属栅场效应晶体管

基本信息

申请号	CN201720465976.5	申请日	-
公开（公告）号	CN206878000U	公开（公告）日	2018-01-12
申请公布号	CN206878000U	申请公布日	2018-01-12
分类号	H01L29/423;H01L29/06;H01L29/78	分类	基本电气元件;
发明人	任留涛	申请（专利权）人	上海超致半导体科技有限公司
代理机构	上海宏京知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	上海超致半导体科技有限公司
地址	201203 上海市浦东新区自由贸易试验区蔡伦路1690号2号楼405室
法律状态	-

摘要

本实用新型公开了一种改良型低功率超结金属栅场效应晶体管，包括N⁺衬底层和至少二个设于N⁺衬底层顶面上的N^‑耐压漂移层；所述N^‑耐压漂移层的底部两侧设有P^‑电荷补偿区，所述N^‑耐压漂移层的顶部设有包裹N^‑耐压漂移层的肖特基二极管，所述N^‑耐压漂移层的顶面设有栅极沟槽、源极P⁺体区和漏极P⁺体区，所述栅极沟槽延伸至N^‑耐压漂移层内，所述源极P⁺体区和漏极P⁺体区分别设于栅极沟槽的两侧，所述源极P⁺体区的顶面上设有N⁺源区，所述漏极P⁺体区的顶面上设有N⁺漏区；所述栅极沟槽中设有多晶硅填充沟槽；所述多晶硅填充沟槽上设有栅电极；所述栅电极中至少有一个栅电极的顶端设于肖特基二极管内，所述栅电极中至少有一个栅电极的顶端外露于肖特基二极管。