场效应管
基本信息
| 申请号 | CN201720466945.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN206878005U | 公开（公告）日 | 2018-01-12 |
| 申请公布号 | CN206878005U | 申请公布日 | 2018-01-12 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/08 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 任留涛;李菲;禹久赢 | 申请（专利权）人 | 上海超致半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海宏京知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 上海超致半导体科技有限公司 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区自由贸易试验区蔡伦路1690号2号楼405室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种场效应管，包括：P型衬底；所述P型衬底上表面设有N型外延层，所述N型外延层上部设有栅极沟槽，所述N型外延层表面有氧化层，所述栅极沟槽内设有多晶硅栅；所述沟槽两侧形成有P型阱和N型有源区，且所述N型有源区位于P型阱的上方，所述氧化层上部涂覆有防护层，所述防护层中设有连接至N型有源区的接触孔。本实用新型结构简单，易于制备。能够有效保护氧化层在加工过程中免于腐蚀，保证场效应管的耐压能力。 |
