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超结金属栅场效应晶体管

基本信息

申请号	CN201720464754.1	申请日	-
公开（公告）号	CN206877996U	公开（公告）日	2018-01-12
申请公布号	CN206877996U	申请公布日	2018-01-12
分类号	H01L27/06;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/417	分类	基本电气元件;
发明人	任留涛	申请（专利权）人	上海超致半导体科技有限公司
代理机构	上海宏京知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	上海超致半导体科技有限公司
地址	201203 上海市浦东新区自由贸易试验区蔡伦路1690号2号楼405室
法律状态	-

摘要

本实用新型公开了一种超结金属栅场效应晶体管，包括肖特基二极管和超结MOSFET；所述超结MOSFET包括由上至下依次设置的N⁺源区外延层、P⁺体区外延层、N^‑耐压漂移层和N⁺衬底层，所述N⁺源区外延层的边缘处开设有肖特基沟槽，所述N⁺源区外延层的中心开有栅极沟槽，所述肖特基沟槽的底部和所述栅极沟槽的底部均位于所述N^‑耐压漂移层内；所述N^‑耐压漂移层的边缘设有P^‑电荷补偿区，所述P^‑电荷补偿区位于所述肖特基沟槽的底部；所述超结MOSFET的漏极的铝线宽度随电流减小而逐渐变窄，所述超结MOSFET的源极的铝线宽度随电流减小而逐渐变窄，所述超结MOSFET的漏极的铝线和源极的铝线之间交叉布线。