碳化硅化学气相沉积炉的进气装置
基本信息
| 申请号 | CN202010560400.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111560597B | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN111560597B | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | C23C16/32（2006.01）I;C23C16/448（2006.01）I;C23C16/455（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 贺鹏博;周帆 | 申请（专利权）人 | 湖南铠欣新材料科技有限公司 |
| 代理机构 | 长沙轩荣专利代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 413000湖南省益阳市高新区东部产业园标准化厂房E区E1栋北侧一半 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种碳化硅化学气相沉积炉的进气装置，包括：储液室、汽化室、混合室和稀释室，所述储液室设置有一注液口，所述混合室设置有一混合管道，所述稀释室设置有一稀释管道，所述混合管道用于通入氢气，所述稀释管道用于通入氩气，所述汽化室设置在所述储液室上方，所述汽化室通过一导液汽化装置与所述储液室连通，所述汽化室与混合室通过管道相互连通，所述混合室与稀释室通过管道连通，所述稀释室设置有一输出管道，所述输出管道用于连通沉积炉。本发明结构设计合理，操作便捷，进气过程气体不会液化堵塞管道，能够有效生成高纯度的MTS气体并且气体内各成分比例稳定。 |
