一种适用于NRZ和PAM4高速信号分析的AC电容建模方法

基本信息

申请号 CN201911420199.2 申请日 -
公开(公告)号 CN111177993A 公开(公告)日 2020-05-19
申请公布号 CN111177993A 申请公布日 2020-05-19
分类号 G06F30/367 分类 计算;推算;计数;
发明人 陈懿;鲁成;吴博文;朱振锋;周飞飞;简松 申请(专利权)人 无锡市同步电子科技有限公司
代理机构 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 代理人 无锡市同步电子科技有限公司
地址 214000 江苏省无锡市清源路18号太湖国际科技园传感网大学科技园530大厦C207-2号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种适用于NRZ和PAM4高速信号分析的AC电容建模方法,涉及建模技术领域,该方法结合AC电容的外形尺寸数据和内部截面数据进行3D建模,同时通过电容值、S参数和TDR曲线修正直至建模精度符合要求,该方法可以建立高精度的AC电容模型、最大程度接近真实模型,满足NRZ和PAM4在56GHz领域信号仿真分析的需要,同时由于该方法更贴近实际电容结构,电容内部寄生参数可以直接建模获得、而不再通过外部迭代等效,因此电容模型的校准难度也大大下降。