一种新型碳化硅MOSFET器件及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201310377625.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103681256A | 公开（公告）日 | 2014-03-26 |
| 申请公布号 | CN103681256A | 申请公布日 | 2014-03-26 |
| 分类号 | H01L21/04(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄国华;冯明宪;门洪达;张伟;王坤池;周月 | 申请（专利权）人 | 厦门天睿电子有限公司 |
| 代理机构 | 杭州杭诚专利事务所有限公司 | 代理人 | 厦门天睿电子有限公司;黄国华 |
| 地址 | 361100 福建省厦门市翔安区翔星路88号台湾科技企业育成中心强业楼507室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种新型碳化硅MOSFET器件及其制作方法，包括碳化硅衬底、缓冲层和位于缓冲层上的导电外延层，在所述导电外延层上设有栅电极和源极，所述栅电极包括栅介质层，在所述导电外延层内设有阱区和第一类杂质离子区，在所述阱区内设有第二类杂质离子区，所述栅电极还包括金属层，所述金属层位于所述栅介质层的下面。 |
