一种新型碳化硅MOSFET器件
基本信息
| 申请号 | CN201320525036.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN203746862U | 公开（公告）日 | 2014-07-30 |
| 申请公布号 | CN203746862U | 申请公布日 | 2014-07-30 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄国华;冯明宪;门洪达;张伟;王坤池;周月 | 申请（专利权）人 | 厦门天睿电子有限公司 |
| 代理机构 | 杭州杭诚专利事务所有限公司 | 代理人 | 厦门天睿电子有限公司;黄国华 |
| 地址 | 361100 福建省厦门市翔安区翔星路88号台湾科技企业育成中心强业楼507室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种新型碳化硅MOSFET器件，包括碳化硅衬底、位于碳化硅衬底下端的漏极、缓冲层和位于缓冲层上的导电外延层，在所述导电外延层上设有栅极和源极，所述栅极包括层间介质和氧化物介质层，在所述导电外延层内设有阱区和第一类杂质离子区，在所述阱区内设有第二类杂质离子区，所述栅极由金属材料制成，所述层间隔离的氧化物介质层厚度为0.5~1.0微米。本实用新型栅极电阻小，从而提高了器件的开关速度，减少开关损耗，同时其提高了器件的工作频率，和抗雪崩击穿的能力。 |
