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频率源的温度补偿参数确定方法和装置

基本信息

申请号 CN202010873945.X 申请日 -
公开（公告）号 CN111884589B 公开（公告）日 2021-11-05
申请公布号 CN111884589B 申请公布日 2021-11-05
分类号 H03B5/04（2006.01）I 分类 基本电子电路;
发明人 贾涵阳;侯中原 申请（专利权）人 硅谷数模（苏州）半导体股份有限公司
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人 黄海英
地址 215000江苏省苏州市高新区竹园路209号4号楼1801
法律状态 -

摘要

摘要 本申请公开了一种频率源的温度补偿参数确定方法和装置。该方法包括：获取预设数量的目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率的均值，并将温度补偿斜率的均值确定为目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率；获取待测芯片的片内频率源在第一温度下的工作频率，其中，待测芯片为目标型号的芯片；基于目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率、第一温度以及第一温度下的工作频率，确定待测芯片的片内频率源的温度补偿偏置参数；将温度补偿斜率和温度补偿偏置参数确定为待测芯片的片内频率源的温度补偿参数。通过本申请，解决了相关技术中采用机台批量加热芯片以校准芯片的片上频率源的温度补偿参数，耗时长、成本高的问题。