一种VCSEL结构
基本信息
| 申请号 | CN202111357672.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114204415A | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN114204415A | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | H01S5/183（2006.01）I;H01S5/343（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 方照诒 | 申请（专利权）人 | 深圳市嘉敏利光电有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市道勤知酷知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 何兵 |
| 地址 | 518000广东省深圳市福田区福保街道福保社区红柳道2号顺丰工业厂房1层B125 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种VCSEL结构，包括衬底、电极接触层、下DBR、有源区、上DBR，其中，所述上DBR内的光学路径上的堆叠结构由中Al含量的低折射率材质Al2O3由AlxGa1‑xAs经氧化工艺形成Al2O3/AlyGa1‑yAs组成，谐振腔光学路径外侧的导通路径由欧姆金属取代Al2O3形成低电阻路径及光局限，所述堆叠结构与所述欧姆金属组成的组合层的上下两侧由AlxGa1‑xAs组成并形成DBR结构中高折射率的部分，所述有源区的上方设有电流孔径，所述电流孔径由AlzGa1‑zAs组成并形成DBR结构中高折射率的部分，其中，x＞z＞y。 |
