一种光学路径可控高导热、低电阻的VCSEL制作方法及VCSEL专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种光学路径可控高导热、低电阻的VCSEL制作方法及VCSEL

基本信息

申请号	CN202111356425.2	申请日	-
公开（公告）号	CN114204414A	公开（公告）日	2022-03-18
申请公布号	CN114204414A	申请公布日	2022-03-18
分类号	H01S5/183（2006.01）I;H01S5/343（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	方照诒	申请（专利权）人	深圳市嘉敏利光电有限公司
代理机构	深圳市道勤知酷知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	何兵
地址	518000广东省深圳市福田区福保街道福保社区红柳道2号顺丰工业厂房1层B125
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种光学路径可控高导热、低电阻的VCSEL制作方法及VCSEL，其中该方法包括以下步骤：将MQW层上方的主要DBRAlxiGa1‑xiAs/AlyGa1‑yAs（xi>y，0≤y≤1，且xi由上至下逐渐变大）中高Al％组分AlxiGa1‑xiAs的部分进行完全氧化，使其转变成Al2O3，在所需的光学路径上形成AlxiGa1‑xiAs/AlyGa1‑yAs DBR堆叠结构并使所述AlxiGa1‑xiAs/AlyGa1‑yAs DBR堆叠结构从上至下逐渐变窄，同时通过控制较临近MQW的低Al％组分AlzGa1‑zAs的氧化速率，继而控制中心未被氧化的AlzGa1‑zAs电流孔径的大小，其中Al％组分满足z>xi>y；将外围部分完全氧化所形成的Al2O3以化学刻蚀方式去除，保留光学路径的AlxiGa1‑xiAs/AlyGa1‑yAs DBR堆叠结构；去除外围部分的Al2O3所形成的空间以原子层沉积、溅镀、蒸镀及电镀中的一种或多种组合方式填充欧姆金属，以形成低电阻的电学导通路径。