一种高折射率对比DBR的倒装VCSEL结构及其工艺方法
基本信息
| 申请号 | CN202111357669.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114188816A | 公开（公告）日 | 2022-03-15 |
| 申请公布号 | CN114188816A | 申请公布日 | 2022-03-15 |
| 分类号 | H01S5/024（2006.01）I;H01S5/183（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 方照诒 | 申请（专利权）人 | 深圳市嘉敏利光电有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市道勤知酷知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 何兵 |
| 地址 | 518000广东省深圳市福田区福保街道福保社区红柳道2号顺丰工业厂房1层B125 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种高折射率对比DBR的倒装VCSEL结构及其工艺方法，以欧姆金属取代了部分Al2O3，散热衬底、AlGaAs/欧姆金属所形成的高导热、低电阻导通路径，使得光学路径和电学路径分离。Al2O3/AlyGa1‑yAs DBR形成的堆叠结构可以减少DBR层对数，改变了以最高Al组分作为电流孔径限制层的做法，使得电学性能和光学性能得到显著提高，提高了转换效率及总输出功率。 |
