IGBT器件及制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202010212687.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113451398A | 公开（公告）日 | 2021-09-28 |
| 申请公布号 | CN113451398A | 申请公布日 | 2021-09-28 |
| 分类号 | H01L29/739（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 曹功勋;仵嘉;张敏 | 申请（专利权）人 | 芯合电子（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 焦健 |
| 地址 | 201206上海市浦东新区金沪路1270号1幢218室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种IGBT器件，在IGBT器件背面的过渡区及终端区的缓冲层与集电极之间增加一层二氧化硅层，二氧化硅层与硅接触面存在界面态，从而降低了空穴寿命，二氧化硅层还具有吸硼排磷的特性，进而降低了IGBT芯片过渡区和终端区背面集电极的掺杂浓度，进而降低了IGBT芯片过渡区和终端区背面P型集电极的发射效率，提高IGBT芯片的可靠性。本发明的二氧化硅层通过在背面进行氧离子注入，再借助正面工艺的高温过程，使氧离子注入层转换为二氧化硅层，工艺简单易于实施。 |
