功率MOS器件及工艺方法
基本信息
| 申请号 | CN202010213223.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113451404A | 公开（公告）日 | 2021-09-28 |
| 申请公布号 | CN113451404A | 申请公布日 | 2021-09-28 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 曹功勋;仵嘉;张敏 | 申请（专利权）人 | 芯合电子（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 焦健 |
| 地址 | 201206上海市浦东新区金沪路1270号1幢218室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种功率MOS器件，在外延层中包含有MOS器件的源区、漏区以及体注入区，外延层表面包含有由栅氧化层和多晶硅栅极组成的栅极结构，体注入区中还包含有重掺杂区用于将体注入区进行接触引出，所述MOS器件的源区中，还包含有氩离子注入形成的缺陷层。氩离子注入形成的缺陷层能降低MOS器件中寄生三极管的发射极的发射效率，进而进一步降低MOS器件寄生三极管开启风险，最终实现MOSFET的UIS能力及器件可靠性进一步提升。本发明还公开了所述MOS器件的工艺方法，仅在源区形成之后增加一步氩离子注入，工艺简单易于实施。 |
