功率MOS器件及工艺方法

基本信息

申请号 CN202010213223.1 申请日 -
公开(公告)号 CN113451404A 公开(公告)日 2021-09-28
申请公布号 CN113451404A 申请公布日 2021-09-28
分类号 H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 曹功勋;仵嘉;张敏 申请(专利权)人 芯合电子(上海)有限公司
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 代理人 焦健
地址 201206上海市浦东新区金沪路1270号1幢218室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种功率MOS器件,在外延层中包含有MOS器件的源区、漏区以及体注入区,外延层表面包含有由栅氧化层和多晶硅栅极组成的栅极结构,体注入区中还包含有重掺杂区用于将体注入区进行接触引出,所述MOS器件的源区中,还包含有氩离子注入形成的缺陷层。氩离子注入形成的缺陷层能降低MOS器件中寄生三极管的发射极的发射效率,进而进一步降低MOS器件寄生三极管开启风险,最终实现MOSFET的UIS能力及器件可靠性进一步提升。本发明还公开了所述MOS器件的工艺方法,仅在源区形成之后增加一步氩离子注入,工艺简单易于实施。