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一种基于离子注入的GaN功率器件

基本信息

申请号	CN201720734390.4	申请日	-
公开（公告）号	CN206907738U	公开（公告）日	2018-01-19
申请公布号	CN206907738U	申请公布日	2018-01-19
分类号	H01L21/265;H01L29/06;H01L29/45;H01L29/47;H01L29/778	分类	基本电气元件;
发明人	任远;陈志涛;刘晓燕;刘宁炀;刘久澄;李叶林	申请（专利权）人	鹤山市世拓电子科技有限公司
代理机构	广东世纪专利事务所	代理人	广东省半导体产业技术研究院
地址	510651 广东省广州市天河区长兴路363号
法律状态	-

摘要

一种基于离子注入的GaN功率器件，包括GaN缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上设有源电极、栅电极和漏电极，源电极和漏电极均为欧姆接触，栅电极为肖特基接触，各电极之间设有钝化层，AlGaN势垒层与GaN沟道层为异质结构且在两者的界面处由于极化效应而形成有作为GaN功率器件横向工作导电沟道的二维电子气，GaN缓冲层中通过离子注入形成有离子隔离区，离子隔离区位于GaN缓冲层的上部，GaN缓冲层中设置了离子隔离区后而在GaN缓冲层的底面键合有高导热衬底。本实用新型采用在GaN缓冲层中通过离子注入形成有隔离区，将GaN沟道与GaN缓冲层隔离开，从而减少了器件漏电流并提高击穿电压。