首页/ 恒泰柯半导体（上海）有限公司/ 专利详情

功率半导体器件及其制作方法

基本信息

申请号 CN202110382782.X 申请日 -
公开（公告）号 CN113113472A 公开（公告）日 2021-07-13
申请公布号 CN113113472A 申请公布日 2021-07-13
分类号 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/786（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 罗志云;潘梦瑜;王飞 申请（专利权）人 恒泰柯半导体（上海）有限公司
代理机构 北京品源专利代理有限公司 代理人 孟金喆
地址 201210上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区盛夏路560号902C-7室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明实施例公开了一种功率半导体器件及其制作方法。功率半导体器件包括：外延层，所述外延层包括多个深沟槽，所述深沟槽内设置有位于其底部的底部多晶硅层和位于其顶部的顶部多晶硅层；其中，部分所述深沟槽为第一深沟槽，所述第一深沟槽内的所述底部多晶硅层连接至源极，所述顶部多晶硅层连接至栅极；另外部分所述深沟槽为第二深沟槽，所述第二深沟槽内的所述底部多晶硅层和所述顶部多晶硅层均连接至栅极，和/或另外部分所述深沟槽为第三深沟槽，所述第三深沟槽内的所述底部多晶硅层和所述顶部多晶硅层连接至源极。与现有技术相比，本发明实施例实现了对反向传输电容和输入电容的灵活的调节，改善了功率半导体器件的效率和可靠性。