一种半导体元件的制备方法及半导体元件
基本信息
| 申请号 | CN202110533969.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113270320A | 公开（公告）日 | 2021-08-17 |
| 申请公布号 | CN113270320A | 申请公布日 | 2021-08-17 |
| 分类号 | H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 潘梦瑜;罗志云;王飞 | 申请（专利权）人 | 恒泰柯半导体（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | 孟金喆 |
| 地址 | 201210上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区盛夏路560号902C-7室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种半导体元件的制备方法及半导体元件，制备方法包括：形成半导体基底，半导体基底包括衬底，以及位于衬底一侧的外延层；外延层远离衬底的一侧形成有多个沟槽；于沟槽中依次形成第一多晶硅层、第一绝缘层和第二多晶硅层；其中，第一绝缘层位于第一多晶硅层和第二多晶硅层之间、第二多晶硅层与沟槽之间以及外延层远离衬底一侧的表面；于第二多晶硅层远离衬底的一侧依次形成第二绝缘层和金属层；于金属层远离所述半导体基底的一侧形成钝化层，并且在形成钝化层前后分别通过氢气合金工艺中和位于第二多晶硅层与沟槽之间的第一绝缘层中可动电荷，以及接触界面的悬挂键，提高了半导体元件的阈值电压在晶圆内的均一性。 |
