一种基于湿法腐蚀的薄膜图形刻蚀方法
基本信息
| 申请号 | CN202010980308.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112185813A | 公开（公告）日 | 2021-01-05 |
| 申请公布号 | CN112185813A | 申请公布日 | 2021-01-05 |
| 分类号 | H01L21/311 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈瑶;丁颖;苏向斌;倪海桥;陈鹏;赵涛 | 申请（专利权）人 | 南京信光半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 | 代理人 | 南京信光半导体科技有限公司 |
| 地址 | 210001 江苏省南京市秦淮区中山东路53 2-1号中山坊C座二楼龙谱科技广场C332 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于湿法腐蚀的薄膜图形刻蚀方法，包括以下具体步骤：S1、在衬底上生长缓冲层和牺牲层；S2、在牺牲层上生长或溅镀与牺牲层化学性质不同的薄膜层；S3、在薄膜层上进行光刻工艺，刻蚀所需要的图形；S4、利用湿法腐蚀的加工工艺在薄膜层上刻蚀图案；S5、调配一定比例的腐蚀溶液，用于薄膜层和衬底的分离，最终得到带图案的薄膜工艺。本发明与现有技术相比的优点在于：制备的带有图形结构的薄膜可以应用到多个领域，如耳机，麦克风等，且薄膜厚度可控，在薄膜上可以刻蚀多种图形，工艺步骤简单合理，刻蚀效果好，大大降低了人力物力投入，提高了加工效率和精度，符合目前半导体加工需求，便于推广。 |
