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用于提高非制冷红外焦平面阵列器件性能的制作方法

基本信息

申请号 CN200510090179.5 申请日 -
公开（公告）号 CN1911781A 公开（公告）日 2007-02-14
申请公布号 CN1911781A 申请公布日 2007-02-14
分类号 B81C1/00(2006.01);B81B7/00(2006.01);H01L21/00(2006.01);G01K7/00(2006.01) 分类 微观结构技术〔7〕;
发明人 石莎莉;陈大鹏;李超波;焦斌斌;欧毅;叶甜春 申请（专利权）人 杭州红芯电子有限公司
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 汤保平
地址 100029北京市朝阳区北土城西路3号
法律状态 -

摘要

摘要 一种用于提高非制冷红外焦平面阵列器件性能的制作方法，步骤如下：在双抛光<100>硅基片双表面淀积上氮化硅薄膜和下氮化硅薄；在下氮化硅薄膜上光刻、刻蚀，形成背面阵列腐蚀窗口图形；腐蚀减薄硅基片，形成倒梯形缺口；清洗处理表面，在背面的倒梯形缺口和下氮化硅薄膜的表面上淀积氮化硅薄膜；在氮化硅薄膜上光刻、刻蚀，形成背面单元腐蚀窗口图形；在上氮化硅薄膜上光刻，刻蚀，形成非制冷红焦平面阵列图形；在非制冷红焦平面阵列图形上光刻，蒸金薄膜，剥离，形成间隔镀金图形；腐蚀硅基片，形成单元镂空式非制冷红外焦平面阵列器件。