用于提高非制冷红外焦平面阵列器件性能的制作方法
基本信息
申请号 | CN200510090179.5 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN100387509C | 公开(公告)日 | 2008-05-14 |
申请公布号 | CN100387509C | 申请公布日 | 2008-05-14 |
分类号 | B81C1/00(2006.01);B81B7/00(2006.01);H01L21/00(2006.01);G01K7/00(2006.01) | 分类 | 微观结构技术〔7〕; |
发明人 | 石莎莉;陈大鹏;李超波;焦斌斌;欧毅;叶甜春 | 申请(专利权)人 | 杭州红芯电子有限公司 |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 一种用于提高非制冷红外焦平面阵列器件性能的制作方 |
