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基于硅衬底无牺牲层的非制冷红外焦平面阵列的制作方法

基本信息

申请号 CN200610066888.4 申请日 -
公开（公告）号 CN100452350C 公开（公告）日 2009-01-14
申请公布号 CN100452350C 申请公布日 2009-01-14
分类号 H01L21/822(2006.01);H01L27/14(2006.01);B81C1/00(2006.01);B81B7/02(2006.01) 分类 基本电气元件;
发明人 石莎莉;陈大鹏;景玉鹏;殴毅;董立军;叶甜春 申请（专利权）人 杭州红芯电子有限公司
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 周国城
地址 100029北京市朝阳区北土城西路3号
法律状态 -

摘要

摘要 一种基于硅衬底无牺牲层的非制冷红外焦平面阵列，其与反光板连接的悬臂梁固支在利用各向同性腐蚀出的近似契型硅柱上，其阵列中单元结构分为独立式和嵌套式。该非制冷红外焦平面阵列器件的工艺步骤如下：1、在<100>硅基片上淀积氮化硅薄膜；2、在正面氮化硅薄膜表面光刻，表面淀积铬薄膜，剥离；3、刻蚀氮化硅薄膜，去铬，清洗处理表面；4、在图形表面光刻，表面淀积金薄膜，剥离，在支撑悬臂梁上形成厚的间隔镀金；5、继续在图形表面光刻，表面淀积金薄膜，剥离，在反光板上形成薄的镀金；6、正面腐蚀硅衬底，形成近似契型硅柱来支撑悬臂梁，同时释放悬臂梁和反光板薄膜形成非制冷红外焦平面阵列。