键合氮化铝陶瓷衬底异面电极VCSEL芯片及其制作方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

键合氮化铝陶瓷衬底异面电极VCSEL芯片及其制作方法

基本信息

申请号	CN202111210066.X	申请日	-
公开（公告）号	CN114204402A	公开（公告）日	2022-03-18
申请公布号	CN114204402A	申请公布日	2022-03-18
分类号	H01S5/02（2006.01）I;H01S5/024（2006.01）I;H01S5/042（2006.01）I;H01S5/183（2006.01）I;H01S5/30（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	詹健龙;徐春朝;姜昆;郭飞	申请（专利权）人	浙江焜腾红外科技有限公司
代理机构	嘉兴启帆专利代理事务所（普通合伙）	代理人	程开生
地址	314000浙江省嘉兴市经济技术开发区昌盛南路36号嘉兴智慧产业创新园10号楼104室
法律状态	-

摘要

本发明公开了键合氮化铝陶瓷衬底异面电极VCSEL芯片及其制作方法，VCSEL芯片包括有氮化铝陶瓷层，氮化铝陶瓷层的上下端面分别设有N电极，上端面的N电极上设有若干N‑DBR，N‑DBR分为上半部分和下半部分，所有N‑DBR的下半部分相连，相邻N‑DBR的上半部分之间具有间隙，N‑DBR的上半部分上端分别设有P‑DBR，P‑DBR与上半部分之间设有谐振腔层，P‑DBR的上端设有隔离缓冲层，隔离缓冲层的上端设有P电极，氮化铝陶瓷层上端面的N电极与下端面的N电极通过N电极导通柱连接。本发明的VCSEL芯片相比于传统VCSEL芯片，去除了全部GaAs衬底，用氮化铝陶瓷直接与外延层键合，提升了VCSEL芯片的散热效果。避免了由芯片尺寸增加，衬底减薄导致的一系列问题。