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一种氮化铝陶瓷衬底VCSEL芯片及其制作方法

基本信息

申请号	CN202111211651.1	申请日	-
公开（公告）号	CN114204403A	公开（公告）日	2022-03-18
申请公布号	CN114204403A	申请公布日	2022-03-18
分类号	H01S5/02（2006.01）I;H01S5/024（2006.01）I;H01S5/042（2006.01）I;H01S5/183（2006.01）I;H01S5/30（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	詹健龙;徐春朝;姜昆;郭飞	申请（专利权）人	浙江焜腾红外科技有限公司
代理机构	嘉兴启帆专利代理事务所（普通合伙）	代理人	程开生
地址	314000浙江省嘉兴市经济技术开发区昌盛南路36号嘉兴智慧产业创新园10号楼104室
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种氮化铝陶瓷衬底VCSEL芯片及其制作方法，VCSEL芯片包括有氮化铝陶瓷层，氮化铝陶瓷层的下表面设有P电极和N电极，P电极和N电极之间设有绝缘层，氮化铝陶瓷层的上表面依次设有P‑DBR和N‑DBR，P‑DBR内设有穿孔，穿孔内设有N型金属接触层，氮化铝陶瓷层中设有N型导通孔金属柱，氮化铝陶瓷层与P‑DBR之间设有P型金属接触层，氮化铝陶瓷层中设有P型导通孔金属柱，N‑DBR的上表面设有若干出光孔，N‑DBR的上表面还设有隔离缓冲层。本发明去除全部GaAs衬底，用氮化铝陶瓷直接与外延层键合。氮化铝陶瓷导热系数是GaAs的几倍，提升了VCSEL芯片的散热效果。避免了由芯片尺寸增加，衬底减薄导致的一系列问题。本发明可以提升芯片的散热性及可靠性。