毫米波太赫兹频段极低损耗介质薄膜及表面金属化方法
基本信息
| 申请号 | CN202011506780.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112635948A | 公开（公告）日 | 2021-04-09 |
| 申请公布号 | CN112635948A | 申请公布日 | 2021-04-09 |
| 分类号 | H01P7/10;H01P11/00;G03F1/00;G03F7/16;G03F7/20;G03F7/38 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 蔡龙珠;洪伟;蒋之浩;陈晖 | 申请（专利权）人 | 南京锐码毫米波太赫兹技术研究院有限公司 |
| 代理机构 | 南京瑞弘专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 沈廉 |
| 地址 | 211111 江苏省南京市江宁区秣周东路9号无线谷中心楼二楼9205室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种毫米波太赫兹频段极低损耗介质薄膜及表面金属化方法。该介质薄膜以柔性环烯烃共聚物薄膜(1)为基底，在柔性环烯烃共聚物薄膜(1)的下面设置作为支撑层的硅片(2)，在柔性环烯烃共聚物薄膜(1)的上面设置金属层(3)，所述柔性环烯烃共聚物薄膜(1)属于环烯烃共聚物，在毫米波太赫兹频段具有极低的介质损耗，在该介质薄膜表面形成稳定可靠的金属化太赫兹电路结构，实现基于环烯烃共聚物介质薄膜的毫米波太赫兹电路。实现基于环烯烃共聚物新型介质薄膜的毫米波太赫兹电路，对该新型介质薄膜在毫米波太赫兹的应用具有重要的意义。 |
