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一种应用于超细碳化钨制备的抑制剂及其制备方法

基本信息

申请号 CN202010001403.3 申请日 -
公开（公告）号 CN111020337B 公开（公告）日 2021-07-27
申请公布号 CN111020337B 申请公布日 2021-07-27
分类号 C22C29/08（2006.01）I;C22C1/05（2006.01）I;C22C1/10（2006.01）I;C01B32/949（2017.01）I 分类 冶金；黑色或有色金属合金；合金或有色金属的处理;
发明人 许开华;蒋振康;彭光辉;向湘衡;陈晓华;杜柯 申请（专利权）人 荆门美德立数控材料有限公司
代理机构 武汉智嘉联合知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 赵泽夏
地址 448000湖北省荆门市高新区·掇刀区常青路8号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种应用于超细碳化钨制备的抑制剂及其制备方法，该应用于超细碳化钨制备的抑制剂为含Ta和V的钴基复合粉末，所述含Ta和V的钴基复合粉末中Ta、V、Co三者的质量比为为2:1：（20～40）。本发明通过液相沉淀法以及碳化得到TaC‑VC的掺杂复合粉体，并通过液相还原法制备纳米钴粉，然后将TaC‑VC所组成的复合相均匀分布于Co基粘接相中，以TaC‑VC‑Co复合体系作为抑制剂，与WC粉末混合煅烧后显著抑制WC晶粒长大，并提高了硬质合金的耐高温和耐腐蚀能力。