存储装置及其阈值电压调节方法和存储控制方法
基本信息
| 申请号 | CN202110709541.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113611346A | 公开（公告）日 | 2021-11-05 |
| 申请公布号 | CN113611346A | 申请公布日 | 2021-11-05 |
| 分类号 | G11C16/34（2006.01）I;G11C16/14（2006.01）I;G11C16/12（2006.01）I;G11C5/14（2006.01）I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 陈刚;刘大海;余作欢;李健球;李迪;赵希军;闫江 | 申请（专利权）人 | 珠海博雅科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京成创同维知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址 | 519080 广东省珠海市唐家湾镇大学路101号清华科技园创业大楼A座A1106-1107单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种存储装置及其阈值电压调节方法和存储控制方法。该存储装置包括：多个存储单元，多个存储单元排列成阵列且分别包括存储晶体管；多条字线，同一行存储单元的存储晶体管的栅极连接至多条字线的同一条字线；多条位线，同一列存储单元的存储晶体管的漏极连接至多条位线的同一条位线；多条第一连接线，同一列存储单元的存储晶体管的浅P阱区连接至同一条第一连接线；以及多条第二连接线，同一列存储单元的存储晶体管的深N阱区连接至同一条第二连接线。该存储装置针对存内计算优化了器件结构，不仅可以减少存储单元的晶体管数量以减小芯片尺寸，而且可以精确调节存储晶体管的阈值电压以提高计算准确性和可靠性。 |
