一种多芯片半导体封装及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202110017729.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112802760B | 公开（公告）日 | 2022-05-06 |
| 申请公布号 | CN112802760B | 申请公布日 | 2022-05-06 |
| 分类号 | H01L21/50（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I;H01L21/683（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L25/18（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 孙德瑞 | 申请（专利权）人 | 湖南中科存储科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳泛航知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 邓爱军 |
| 地址 | 412007 湖南省株洲市天元区黄河北路272号幸福大厦1601（03）室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种多芯片半导体封装及其形成方法，在对塑封树脂层进行固化处理的过程中，通过分段固化处理，可以有效抑制硅基晶体管在固化过程中产生硅悬空键，通过先在氧气氛围中使得硅基晶体管充分产生硅悬空键，进而通过在氮气的氛围中热处理过程以使得氧气完全排出，进而在后续的固化过程中通过不同的氢气氛围进行充分的热处理，进而使得硅基晶体管表面的硅悬空键充分的转化为硅氢键，进而有效提高硅基晶体管的稳定性。 |
