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一种与锗结合的空间用砷化镓太阳电池电极制备方法

基本信息

申请号 CN202011485427.7 申请日 -
公开（公告）号 CN112599613A 公开（公告）日 2021-04-02
申请公布号 CN112599613A 申请公布日 2021-04-02
分类号 H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 王鑫;杜永超;欧伟;铁剑锐;梁存宝;孙希鹏;李晓东;肖志斌 申请（专利权）人 天津恒电空间电源有限公司
代理机构 天津诺德知识产权代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 栾志超
地址 300384天津市滨海新区滨海高新技术产业开发区华科七路6号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种与锗结合的空间用砷化镓太阳电池电极制备方法，包括腐蚀以锗为衬底的外延片，用真空法在外延片的非有源表面制备金接触层和银层，用电镀法在银层上制备银加厚层，最后进行将制备好银加厚层的外延片进行热处理，得到与锗结合的空间用砷化镓太阳电池电极。本发明的有益效果是：该电极能够采用真空法(真空蒸镀法或磁控溅射法等)和非真空法(电镀法等液相生长薄膜的方法)相结合进行制备，能提高材料利用率、降低生产成本、在不采购大型设备的前提下提高产能；能够实现电极和衬底材料间形成欧姆接触，并且接触面间牢固度满足空间使用要求；产品可靠性高。