一种GaInP/GaInAs/Ge太阳电池一次湿法台阶刻蚀工艺
基本信息
| 申请号 | CN202111271441.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113889553A | 公开（公告）日 | 2022-01-04 |
| 申请公布号 | CN113889553A | 申请公布日 | 2022-01-04 |
| 分类号 | H01L31/18（2006.01）I;H01L31/0725（2012.01）I;H01L31/0735（2012.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 许军;铁剑锐;韩志刚;赵拓 | 申请（专利权）人 | 天津恒电空间电源有限公司 |
| 代理机构 | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 | 代理人 | 蒙建军 |
| 地址 | 300384天津市滨海新区滨海高新技术产业开发区华科七路6号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种GaInP/GaInAs/Ge太阳电池一次湿法台阶刻蚀工艺，属于太阳电池技术领域，包括：S1、对晶圆进行预烘；S2、在晶圆表面涂覆用于图形转移的光刻胶；S3、对晶圆进行前烘处理；S4、对晶圆进行曝光，将掩膜版上的台阶图形转移至光刻胶胶膜上；S5、将胶膜上潜在的图形通过显影技术制备出来；S6、将所述晶圆在高温下坚膜；S7、将所述晶圆在一次湿法刻蚀液中进行ⅢⅤ族有源层刻蚀，形成台阶结构；S8、所述晶圆通过去胶清洗工艺完成一次湿法台阶刻蚀工艺全过程。本发明辅以光刻、显影、刻蚀和清洗工艺的简单、高效、低成本制备台阶工艺技术。 |
