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一种金属-氧化层-栅极电容器及其制备方法

基本信息

申请号	CN202110665747.9	申请日	-
公开（公告）号	CN113571499A	公开（公告）日	2021-10-29
申请公布号	CN113571499A	申请公布日	2021-10-29
分类号	H01L23/64（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	吴汉明;陈春章;胡煜	申请（专利权）人	芯创智创新设计服务中心（宁波）有限公司
代理机构	北京天悦专利代理事务所（普通合伙）	代理人	田明;杨方
地址	315000浙江省宁波市鄞州区学士路642弄2号卓悦大厦7楼
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种金属‑氧化层‑栅极电容器及其制备方法，包括以下步骤：在半导体衬底上覆盖第一绝缘层；在第一绝缘层的表面形成导电层；在导电层的表面上气相沉积第二层绝缘层；对第二层绝缘层进行蚀刻，形成对导电层的局部暴露，同时形成接触孔；对接触孔的开口进行金属填充，形成翅片结构，作为电容器的底板电极即栅极柱；对围绕栅极柱的第二层绝缘层进行蚀刻，使栅极柱从第二绝缘层突出，围绕栅极柱形成沟槽；在第二层绝缘层和栅极柱的表面上气相沉积绝缘介电层；在绝缘介电层上沉积并覆盖一层衬底金属层；在衬底金属层上沉积并覆盖一层主体金属层，形成电容器的上极板电极。本发明可用于传统半导体平面制备和最先进的FinFET制备技术。