非对称高场强离子迁移谱分析仪迁移管过滤器及其加工方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

非对称高场强离子迁移谱分析仪迁移管过滤器及其加工方法

基本信息

申请号	CN201210274583.8	申请日	-
公开（公告）号	CN102820200A	公开（公告）日	2012-12-12
申请公布号	CN102820200A	申请公布日	2012-12-12
分类号	H01J49/06(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	卢小冬;于秀兰	申请（专利权）人	无锡中科沃谱瑞科技有限责任公司
代理机构	北京永创新实专利事务所	代理人	沃谱瑞科技（北京）有限责任公司;无锡中科沃谱瑞科技有限责任公司
地址	100085 北京市海淀区上地十街1号院2号楼17层1703
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种非对称高场强离子迁移谱分析仪迁移管过滤器及其实现方法，本发明使用湿法刻蚀和硅片键合相结合的技术，加工的FAIMS迁移管过滤器包括结构相同的、键合连接的第一硅片和第二硅片，第一硅片包括硅片本体及其上顺次加工的第一氧化层、包括至少3组相互绝缘的金属图形的第一金属图形层、第二氧化层、包括至少3组相互绝缘的金属图形的第二金属图形层，第三氧化层以及至少一组腔体，第一硅片和所述第二硅片的厚度为30～100微米，本发明能够在普通高压集成电路工艺基础上，使用湿法刻蚀技术，在规范电场电极的作用下，得到合格的FAIMS过滤区电场。除了显著降低FAIMS过滤器的加工成本外，还能够获得更高的离子检出精度。