薄膜晶体管及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201811441985.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111244186A | 公开（公告）日 | 2020-06-05 |
| 申请公布号 | CN111244186A | 申请公布日 | 2020-06-05 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 高金字;李韦鑫 | 申请（专利权）人 | 中华映管股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 | 代理人 | 席勇;董云海 |
| 地址 | 中国台湾桃园市龙潭区325华映路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法，薄膜晶体管，包含基板、栅极、栅极介电层、图案化半导体层、源极、漏极、阻光层及介电层。栅极配置于基板上，而栅极介电层配置于栅极上。图案化半导体层配置于栅极介电层上。源极及漏极分别配置于图案化半导体层的不同侧，并电性连接图案化半导体层。阻光层配置于图案化半导体层上，且直接接触图案化半导体层，其中阻光层为非金属材料所制成。介电层覆盖阻光层、源极及漏极。 |
