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数组衬底的制造方法

基本信息

申请号 CN201811312197.7 申请日 -
公开（公告）号 CN111211136A 公开（公告）日 2020-05-29
申请公布号 CN111211136A 申请公布日 2020-05-29
分类号 H01L27/12;H01L21/77 分类 基本电气元件;
发明人 陆富财;王豪;余彦霖;邱奕勋 申请（专利权）人 中华映管股份有限公司
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 代理人 吴志红;臧建明
地址 中国台湾桃园市龙潭区华映路1号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种数组衬底的制造方法，包括以下步骤。形成主动组件于衬底上。形成第一绝缘层于所述主动组件上。形成共通电极层于所述第一绝缘层上。形成第二绝缘层于所述共通电极层上。在所述第一绝缘层以及所述第二绝缘层中形成第一接触窗，以暴露出部分的所述主动组件。形成导电层于所述第二绝缘层上，其中所述导电层填入于所述第一接触窗中。形成第三绝缘层于所述导电层上。在第三绝缘层中形成第二接触窗以暴露出部分的所述导电层。形成像素电极层于所述第三绝缘层上，其中所述像素电极层填入于所述第二接触窗中。本发明提供的数组衬底的制造方法可确保像素电极层与主动组件电性连接而提升良率。