一种放电电路
基本信息
| 申请号 | CN202111408096.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114189136A | 公开（公告）日 | 2022-03-15 |
| 申请公布号 | CN114189136A | 申请公布日 | 2022-03-15 |
| 分类号 | H02M1/32（2007.01）I | 分类 | 发电、变电或配电; |
| 发明人 | 马媛;邵博闻 | 申请（专利权）人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戴广志 |
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种放电电路，包括：放电单元、抗耦合单元和电源VDDI，所述放电单元包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管；所述抗耦合单元包括：第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、电容器和电流源。本申请通过所述抗耦合单元，能够在第二放电阶段中将放电单元的放电回路中的地端的电位快速拉高，避免地端的电位与其他电路中的正高压VPOS发生超BV的情况，消除电压击穿问题。 |
